Aixtron und Ohio State University forschen gemeinsam an Galliumoxid für die Halbleiter-Zukunft
Bernhard Weinhold
Aixtron und Ohio State University forschen gemeinsam an Galliumoxid für die Halbleiter-Zukunft
Aixtron stärkt Position in Halbleitertechnologie der nächsten Generation durch Partnerschaft mit der Ohio State University
Der deutsche Ausrüstungshersteller Aixtron baut seine Rolle in der Halbleitertechnologie der Zukunft aus: Durch eine neue Kooperation mit der Ohio State University stellt das Unternehmen ein spezialisiertes System für die Erforschung von Galliumoxid bereit – ein Material, das sich durch herausragende Leistung bei hohen Spannungen und extremen Temperaturen auszeichnet. Dieser Schritt erfolgt vor dem Hintergrund wachsender Investorenzuversicht: Seit Januar hat sich der Aktienkurs von Aixtron um fast 40 Prozent erhöht und notiert deutlich über seinem langfristigen Durchschnitt.
Im November 2025 wurde an der Ohio State University im Nanotech West Lab das Close Coupled Showerhead® (CCS)-MOCVD-System von Aixtron installiert. Die Anlage, die für das epitaktische Wachstum ausgelegt ist, ermöglicht die Herstellung hochwertiger, gleichmäßiger Dünnschichten aus Galliumoxid (Ga₂O₃) und Aluminium-Galliumoxid (AlGaO) auf 100-Millimeter-Substraten. Keine andere große Forschungseinrichtung hat in den vergangenen drei Jahren bekannt gegeben, MOCVD-Systeme von Aixtron für die Galliumoxid-Entwicklung erworben zu haben.
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Das CCS-System von Aixtron ist speziell auf Halbleiter mit ultrabreitem Bandabstand zugeschnitten und bietet präzise Kontrolle über die Materialeigenschaften. Mit dieser Technologie festigt das Unternehmen seine Führungsposition bei MOCVD-Anlagen und baut seinen Vorsprung als Pionier in einem Bereich aus, der die zukünftige Leistungselektronik prägen wird. Die Zusammenarbeit mit der Ohio State University unterstreicht zudem Aixtrons Ruf als zentraler Akteur in der Spitzenforschung zu Halbleitermaterialien.
Die Partnerschaft erweitert Aixtrons Einfluss auf dem Gebiet innovativer Halbleitermaterialien. Angesichts steigender Aktienkurse und einer wachsenden Nachfrage nach Hochleistungselektronik ist das Unternehmen ideal aufgestellt, um die Entwicklung von Power-Halbleitern der nächsten Generation voranzutreiben. Die Inbetriebnahme der Anlage im Forschungslabor der Ohio State University markiert einen wichtigen Schritt für die Weiterentwicklung von Galliumoxid-Anwendungen.
